图片仅供参考,产品以实物为准

厂商型号

KSC2258ASTU 

产品描述

Transistors Bipolar - BJT NPN Epitaxial Sil

内部编号

3-KSC2258ASTU

#1

数量:33540
1+¥1.2328
25+¥1.1557
100+¥1.1557
500+¥1.0787
1000+¥1.0017
最小起订金额:¥₩600
新加坡
当天发货,5-8个工作日送达.
立即询价

订购说明

质量保障

原厂背书质量,全面技术支持

全场免邮
全场免运费 /报价不含任何销售税

KSC2258ASTU产品详细规格

规格书 KSC2258ASTU datasheet 规格书
Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 60
晶体管类型 NPN
- 集电极电流(Ic)(最大) 100mA
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 300V
Vce饱和(最大)@ IB,IC 1.2V @ 5mA, 50mA
电流 - 集电极截止(最大) -
直流电流增益(HFE)(最小值)@ IC,VCE 40 @ 40mA, 20V
功率 - 最大 4W
频率转换 100MHz
安装类型 Through Hole
包/盒 TO-225AA, TO-126-3
供应商器件封装 TO-126
包装材料 Tube
集电极最大直流电流 0.1
最小直流电流增益 40@40mA@20V|30@5mA@50V
欧盟RoHS指令 Compliant
最高工作温度 150
标准包装名称 TO-225-AA
最低工作温度 -55
最大功率耗散 4000
最大基地发射极电压 6
Maximum Transition Frequency 100(Typ)
封装 Rail
每个芯片的元件数 1
最大集电极基极电压 300
供应商封装形式 TO-126
最大集电极发射极电压 300
类型 NPN
引脚数 3
铅形状 Through Hole
电流 - 集电极( Ic)(最大) 100mA
晶体管类型 NPN
安装类型 Through Hole
频率 - 转换 100MHz
下的Vce饱和度(最大) Ib,Ic条件 1.2V @ 5mA, 50mA
标准包装 60
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 300V
供应商设备封装 TO-126
功率 - 最大 4W
封装/外壳 TO-225AA, TO-126-3
直流电流增益( hFE)(最小值) Ic,Vce时 40 @ 40mA, 20V
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
工厂包装数量 60
集电极 - 发射极饱和电压 1.2 V
产品种类 Transistors Bipolar - BJT
晶体管极性 NPN
发射极 - 基极电压VEBO 6 V
最大功率耗散 4 W
直流集电极/增益hfe最小值 40
集电极最大直流电流 0.1 A
增益带宽产品fT 100 MHz
集电极 - 发射极最大电压VCEO 300 V
单位重量 0.026843 oz
安装风格 Through Hole
集电极 - 基极电压VCBO 300 V
最低工作温度 - 55 C
配置 Single
最高工作温度 + 150 C
RoHS RoHS Compliant
连续集电极电流 0.1 A

KSC2258ASTU系列产品

KSC2258ASTU相关搜索

订购KSC2258ASTU.产品描述:Transistors Bipolar - BJT NPN Epitaxial Sil. 生产商: Fairchild Semiconductor.芯天下有低价

咨询QQ

综合类:

热线电话

  • 北京
  • 010-82149008
    010-62155488
    010-57196138
    010-82149921
    010-82149488
  • 深圳
  • 0755-82511472
    0755-83247615
    0755-83997440
    0755-83975736
  • 苏州
  • 0512-67687578
    0512-68796728
    0512-67683728
    0512-67684200
  • 传真
  • 010-62178897;  0755-83995470;
  • 邮件: rfq@oneic.com